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碳纳米管阴极及其制备方法
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价 格
¥面议
专利号
CN201310514545.X
专利类型
发明专利
所属行业
中科院医学成像项目
有效日期
20160323
专利详情
过户资料
安全保障
专 利 号 :CN201310514545.X
专利类型:发明专利
所属行业:中科院医学成像项目
有效日期:20160323

本发明提供一种超声波传感器阵列的激励装置,包括:信号产生器和多个激励电路,其中,每个激励电路对应于超声波传感器阵列中的一个超声波传感器,激励电路包括:金属氧化物半导体场效应晶体管和输出器,其中,信号产生器从外部接收激励数据,响应于激励数据输出激励输入信号到激励电路,金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极接收激励输入信号,金属氧化物半导体场效应晶体管的源极接地,金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极输出激励内部信号,输出器将激励内部信号进行升压和调谐,将升压和调谐后的激励内部信号作为激励信号输出到相应的超声波传感器。

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